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BZM55C4V7-TR3

产品描述Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.4%, 0.5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB,共6页
制造商Vishay Telefunken (Vishay)
官网地址http://www.vishay.com
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BZM55C4V7-TR3在线购买

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BZM55C4V7-TR3概述

Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.4%, 0.5W,

BZM55C4V7-TR3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗80 Ω
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压4.7 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差6.4%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZM55C...
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Saving space
Hermetic sealed parts
Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints
Electrical data identical with the devices
BZT55C... / TZMC...
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
96 12315
Applications
Voltage stabilization
Order Instruction
Type
BZM55C2V4
BZM55C2V4
Ordering Code
BZM55C2V4–TR
BZM55C2V4–TR3
Remarks
Tape and Reel (2.500 pcs)
Tape and Reel (10.000 pcs)
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
x
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Junction tie point
Test Conditions
mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1
35
m
m copper clad, 0.9 mm
2
copper area per electrode
Symbol
R
thJA
R
thJL
Value
500
300
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Document Number
Rev. 4, 25-Jun-01
www.vishay.com
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