IRFN044-JQR-B,IRFN044-JQR-B pdf中文资料,IRFN044-JQR-B引脚图,IRFN044-JQR-B电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFN044-JQR-B

IRFN044-JQR-B: 产品描述34A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, TO-220SM, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小71KB，共2页; 制造商SEMELAB

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IRFN044-JQR-B概述

34A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, TO-220SM, 3 PIN

IRFN044-JQR-B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	TO-220SM
包装说明	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	340 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	34 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XBCC-N3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	136 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRFN044-JQR-B相似产品对比

	IRFN044-JQR-B	IRFN044R4	IRFN044	IRFN044-JQR-BR4
描述	34A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, TO-220SM, 3 PIN	34A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, TO-220SM, 3 PIN	34A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, TO-220SM, 3 PIN	34A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合
包装说明	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	340 mJ	340 mJ	340 mJ	340 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	34 A	34 A	34 A	34 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	0.05 Ω	0.05 Ω	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XBCC-N3	R-XBCC-N3	R-XBCC-N3	R-XUUC-N3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	136 A	136 A	136 A	136 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1
零件包装代码	TO-220SM	TO-220SM	TO-220SM	-
针数	3	3	3	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	-

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