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5962H9684502Q9A

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX9, 45ns, CMOS, DIE
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文件大小523KB,共41页
制造商Cobham PLC
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5962H9684502Q9A概述

Dual-Port SRAM, 4KX9, 45ns, CMOS, DIE

5962H9684502Q9A规格参数

参数名称属性值
包装说明DIE, DIE OR CHIP
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XUUC-N
JESD-609代码e0
内存密度36864 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量2
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装等效代码DIE OR CHIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class Q
最大待机电流0.0004 A
最小待机电流2.5 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1

 
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