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BZM55-C39

产品描述Zener Diode, 39V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, GLASS, MICROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共3页
制造商Promax-Johnton Electronic Corporation
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BZM55-C39概述

Zener Diode, 39V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, GLASS, MICROMELF-2

BZM55-C39规格参数

参数名称属性值
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压39 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差5%
工作测试电流2.5 mA
Base Number Matches1

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DATA SHEET
BZM55-C2V4 SERIES
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 47 Volts
POWER
500 mWatts
MICRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
.049(1.25)
.047(1.2)DIA.
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass MICRO-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-202E, Method 208
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.01 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.043(1.1)
.008(0.2)
.079(2.0)
.071(1.8)
.008(0.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at IF = 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
Uni ts
K/mW
V
RthA
VF
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 8mm from case are kept at ambi ent temperature.
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