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BZW03D220

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共5页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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BZW03D220概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,

BZW03D220规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
击穿电压标称值314 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散1000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.85 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BZW03D...
Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors
Features
D
Glass passivated junction
D
Hermetically sealed package
D
Clamping sealed package
Applications
Voltage regulators and transient suppression circuits
94 9588
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Power dissipation
Repetitive peak reverse power
dissipation
Non repetitive peak surge power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=10mm,
T
L
=25
°
C
T
amb
=45
°
C
Type
Symbol
P
V
P
V
P
ZRM
t
p
=100
m
s,
T
j
=25
°
C
P
ZSM
T
j
T
stg
Value
6.0
1.85
20
1000
175
–65...+175
Unit
W
W
W
W
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Junction ambient
Test Conditions
l=25mm, T
L
=constant
on PC board with spacing 37.5mm
Symbol
R
thJA
R
thJA
Value
30
70
Unit
K/W
K/W
Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=1A
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 12-Dec-94
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