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GD54LS55J

产品描述AND-OR-Invert Gate, TTL, CDIP14,
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小99KB,共2页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GD54LS55J概述

AND-OR-Invert Gate, TTL, CDIP14,

GD54LS55J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-XDIP-T14
JESD-609代码e0
逻辑集成电路类型AND-OR-INVERT GATE
最大I(ol)0.004 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
最大电源电流(ICC)1.3 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup20 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

GD54LS55J相似产品对比

GD54LS55J GD74LS55J GD74LS55
描述 AND-OR-Invert Gate, TTL, CDIP14, AND-OR-Invert Gate, TTL, CDIP14, AND-OR-Invert Gate, TTL, PDIP14,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14 R-PDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0
逻辑集成电路类型 AND-OR-INVERT GATE AND-OR-INVERT GATE AND-OR-INVERT GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.008 A 0.008 A
端子数量 14 14 14
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V
最大电源电流(ICC) 1.3 mA 1.3 mA 1.3 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup 20 ns 20 ns 20 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 TTL TTL TTL
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 - LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd

 
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