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5962-3826701MUX

产品描述EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
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文件大小278KB,共40页
制造商Xicor Inc
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5962-3826701MUX概述

EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

5962-3826701MUX规格参数

参数名称属性值
包装说明CERAMIC, LCC-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间250 ns
JESD-30 代码R-CQCC-N32
长度13.965 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度11.425 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Add packages T and W. Add vendor CAGE 60395 as source of
supply. Increase data retention to 20 years, minimum. Redrawn with
changes.
Changes in accordance with NOR 5962-R139-94.
Changes in accordance with NOR 5962-R278-94.
Changes in accordance with NOR 5962-R163-96.
Updated boilerplate. Added device types 16-18 and packages M and
N to drawing along with vendor CAGE 0EU86 as supplier. Removed
figures 9, 10 and 11 software data protect algorithms. Removed
vendor 61395 as supplier. - glg
Corrected dimensions for packages "M" and "N". - glg
Added device 19, packages 6 and 7, and updated boilerplate. ksr
5 year review, updated boilerplate paragraphs. ksr
DATE (YR-MO-DA)
93-06-29
APPROVED
M. A. Frye
B
C
D
E
94-03-29
94-09-19
96-06-27
98-07-22
M. A. Frye
M. A. Frye
M. A. Frye
Raymond Monnin
F
G
H
99-10-06
01-10-05
06-05-15
Raymond Monnin
Raymond Monnin
Raymond Monnin
The original first page has been replaced.
REV
SHEET
REV
SHEET
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OF SHEETS
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15
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11
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32
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12
H
33
H
13
H
34
H
14
PMIC N/A
PREPARED BY
Kenneth Rice
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF
DEFENSE
AMSC N/A
CHECKED BY
Charles Reusing
APPROVED BY
Charlie Besore
DRAWING APPROVAL DATE
91-07-12
REVISION LEVEL
H
MICROCIRCUIT, MEMORY,
DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT
EEPROM, MONOLITHIC
SILICON
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
36
5962-38267
5962-E448-06
DSCC FORM 2233
APR 97

5962-3826701MUX相似产品对比

5962-3826701MUX 5962-3826703MUX 5962-3826701MZA 5962-3826707MUX 5962-3826701MXB 5962-3826701MZB
描述 EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, FP-32 EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, FP-32
包装说明 CERAMIC, LCC-32 CERAMIC, LCC-32 FP-32 CERAMIC, LCC-32 DIP, DFP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 250 ns 200 ns 250 ns 120 ns 250 ns 250 ns
JESD-30 代码 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-XDFP-F32 R-CQCC-N32 R-GDIP-T32 R-XDFP-F32
长度 13.965 mm 13.965 mm 20.85 mm 13.965 mm 42.2 mm 20.85 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED UNSPECIFIED
封装代码 QCCN QCCN DFP QCCN DIP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER FLATPACK CHIP CARRIER IN-LINE FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883
座面最大高度 3.05 mm 3.05 mm 3.048 mm 3.05 mm 5.72 mm 3.048 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD NO LEAD FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL QUAD DUAL DUAL
宽度 11.425 mm 11.425 mm 11.6586 mm 11.425 mm 15.24 mm 11.6586 mm
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