EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, 0.830 X 0.416 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, FP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | 0.830 X 0.416 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, FP-32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 其他特性 | 100000 ENDURANCE CYCLES |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-XDFP-F32 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL28,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 页面大小 | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 3.05 mm |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 11.6586 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
