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FDP10N50F

产品描述N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85ヘ
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小405KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FDP10N50F概述

N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85ヘ

FDP10N50F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)364 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.85 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)36 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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