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FDP15N40

产品描述POWER, FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小246KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FDP15N40概述

POWER, FET, TO-220AB

POWER, 场效应晶体管, TO-220AB

FDP15N40规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
制造商包装代码TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)731 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)60 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FDP15N40相似产品对比

FDP15N40 FDPF15N40
描述 POWER, FET, TO-220AB POWER, FET, TO-220AB
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-220 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compliant
雪崩能效等级(Eas) 731 mJ 731 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 15 A
最大漏极电流 (ID) 15 A 15 A
最大漏源导通电阻 0.3 Ω 0.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 170 W 40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 60 A 60 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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