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5962H9657501VEC

产品描述Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小209KB,共19页
制造商Cobham PLC
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5962H9657501VEC概述

Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

5962H9657501VEC规格参数

参数名称属性值
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.1.A
系列ACT
JESD-30 代码R-GDIP-T16
JESD-609代码e4
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型MULTIPLEXER
最大I(ol)0.008 A
功能数量2
输入次数4
输出次数1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup16 ns
传播延迟(tpd)16 ns
认证状态Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
DESCRIPTION
Changes in accordance with NOR 5962-R131-97. - JB
Add limit for linear energy threshold (LET) with no latch-up in section 1.5.
Update the boilerplate to the requirements of MIL-PRF-38535. Editorial changes
throughout. - TVN
Update radiation features in sections 1.5 and SEP table IB. Change the title.
Update the boilerplate to the requirements of MIL-PRF-38535. Editorial changes
throughout. - jak
DATE (
YR-MO-DA
)
96-11-19
05-11-28
APPROVED
Monica L. Poelking
Thomas M. Hess
C
12-05-01
Thomas M. Hess
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
C
15
C
16
C
17
C
18
REV
SHEET
C
1
C
2
C
3
C
4
C
5
C
6
C
7
C
8
C
9
C
10
C
11
C
12
C
13
C
14
PREPARED BY
Thanh V. Nguyen
CHECKED BY
Thanh V. Nguyen
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
DLA LAND AND MARITIME
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.landandmaritime.dla.mil
MICROCIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED CMOS,
RADIATION HARDENED, DUAL 4-LINE TO 1-LINE DATA
SELECTOR/MULTIPLEXER WITH THREE-STATE
OUTPUTS, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC
SILICON
SIZE
CAGE CODE
APPROVED BY
Monica L. Poelking
DRAWING APPROVAL DATE
96-07-11
REVISION LEVEL
AMSC N/A
C
DSCC FORM 2233
APR 97
A
SHEET
67268
1
OF
18
5962-96575
5962-E245-12

5962H9657501VEC相似产品对比

5962H9657501VEC 5962H9657501QXA 5962H9657501QXC 5962H9657501VEA 5962H9657501QEC 5962H9657501VXC 5962H9657501VXA 5962H9657501QEA
描述 Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 Multiplexer, ACT Series, 2-Func, 4 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
包装说明 DIP, DIP16,.3 DFP, FL16,.3 DFP, FL16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DFP, FL16,.3 DFP, FL16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
系列 ACT ACT ACT ACT ACT ACT ACT -
JESD-30 代码 R-GDIP-T16 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16 -
JESD-609代码 e4 e0 e4 e0 e4 e4 e0 -
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF -
逻辑集成电路类型 MULTIPLEXER MULTIPLEXER MULTIPLEXER MULTIPLEXER MULTIPLEXER MULTIPLEXER MULTIPLEXER -
最大I(ol) 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A -
功能数量 2 2 2 2 2 2 2 -
输入次数 4 4 4 4 4 4 4 -
输出次数 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 16 16 16 16 16 16 16 -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
输出极性 TRUE TRUE TRUE TRUE TRUE TRUE TRUE -
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装代码 DIP DFP DFP DIP DIP DFP DFP -
封装等效代码 DIP16,.3 FL16,.3 FL16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 FL16,.3 FL16,.3 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE FLATPACK FLATPACK IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK -
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V -
Prop。Delay @ Nom-Sup 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns -
传播延迟(tpd) 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns -
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified -
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 NO YES YES NO NO YES YES -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY -
端子面层 GOLD TIN LEAD GOLD TIN LEAD GOLD GOLD TIN LEAD -
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT FLAT -
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL -
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V -
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