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BYV29-300SMD

产品描述8A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-276AB, HERMETIC, CERAMIC, SMD1, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB,共2页
制造商SEMELAB
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BYV29-300SMD概述

8A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-276AB, HERMETIC, CERAMIC, SMD1, 3 PIN

BYV29-300SMD规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-276AB
包装说明R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-276AB
JESD-30 代码R-CBCC-N3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度200 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BYV29–300M
BYV29–400M
BYV29–500M
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
0 .8 9
(0 .0 3 5 )
m in .
3 .7 0 (0 .1 4 6 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
1 0.6
0.8
4.6
3 .7 0 (0 .1 4 6 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
4 .1 4 (0 .1 6 3 )
3 .8 4 (0 .1 5 1 )
3 .6 0 (0 .1 4 2 )
M a x .
HERMETICALLY SEALED
FAST RECOVERY
SILICON RECTIFIER
FOR HI–REL APPLICATIONS
FEATURES
• HERMETIC TO220 METAL OR CERAMIC
SURFACE MOUNT PACKAGES
• SCREENING OPTIONS AVAILABLE
16.5
3.6
Dia.
1 3 .5
1 0 .6
0 .7 6
(0 .0 3 0 )
m in .
1
3
1 23
1 3 .7 0
1 0 .6 9 (0 .4 2 1 )
1 0 .3 9 (0 .4 0 9 )
2
1.0
2 .5 4
BSC
2. 70
BSC
9 .6
9 .3
1 1 .5
1 1 .2
7 (0
8 (0
8 (0
8 (0
.3 8
.3 6
.4 5
.4 4
1 )
9 )
6 )
4 )
1 6 .0 2 (0 .6 3 1 )
1 5 .7 3 (0 .6 1 9 )
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
0 .2 6 (0 .0 1 0 )
• ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
• VOLTAGE RANGE 50 TO 200V
• AVERAGE CURRENT 8A
• VERY LOW REVERSE RECOVERY TIME –
trr = 35ns
• VERY LOW SWITCHING LOSSES
Applications include secondary rectification in
high frequency switching power supplies
TO220 METAL
SMD1
CERAMIC SURFACE MOUNT
ELECTRICAL CONNECTIONS
BYV29xxxM
1
3
2
1 = K Cathode
2 = K Cathode
3 = A Anode22
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FRM
I
F(AV)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Continuous Reverse Voltage
Repetitive Peak Forward Current
Average Forward Current
(switching operation,
d
= 0.5)
I
FSM
T
stg
T
j
Surge Non Repetitive Forward Current
Storage Temperature Range
Maximum Operating Junction Temperature
t
p
= 10 ms
t
p
= 10
m
s
T
case
= 70°C
BYV29
–3000M
300V
200V
200V
BYV29
–400M
400V
30V
300V
200A
9A
BYV29
–500M
500V
400V
400V
100A
–65 to 200°C
200°C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Prelim.7/00

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描述 8A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-276AB, HERMETIC, CERAMIC, SMD1, 3 PIN 8A, 400V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-276AB, HERMETIC, CERAMIC, SMD1, 3 PIN 8A, 500V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-276AB, HERMETIC, CERAMIC, SMD1, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-276AB TO-276AB TO-276AB
包装说明 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-276AB TO-276AB TO-276AB
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
最大输出电流 8 A 8 A 8 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 300 V 400 V 500 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 -

 
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