XOR Gate, HST/T Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DFP, FL14,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY |
| 系列 | HST/T |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | XOR GATE |
| 最大I（ol） | 0.009 A |
| 功能数量 | 4 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 22 ns |
| 传播延迟（tpd） | 20 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 300k Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 |
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