电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

5962-9086907MXA

产品描述EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, 1.685 X 0.600 INCH, 0.225 INCH HEIGHT, DIP-32
产品类别存储    存储   
文件大小428KB,共16页
制造商Xicor Inc
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

5962-9086907MXA概述

EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, 1.685 X 0.600 INCH, 0.225 INCH HEIGHT, DIP-32

5962-9086907MXA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明1.685 X 0.600 INCH, 0.225 INCH HEIGHT, DIP-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
其他特性100000 ENDURANCE CYCLES
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-XDIP-T32
JESD-609代码e0
长度42.93 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.89 mm
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

5962-9086907MXA相似产品对比

5962-9086907MXA 5962-9086903MYA 5962-9086905MUC 5962-9086905MZC 5962-9086907MUC 5962-9086907MZC 5962-9086901MUC
描述 EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, 1.685 X 0.600 INCH, 0.225 INCH HEIGHT, DIP-32 EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, 0.560 X 0.458 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-32 EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, 0.760 X 0.760 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, PGA-36 EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, 0.830 X 0.416 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, FP-32 EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CPGA36, 0.760 X 0.760 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, PGA-36 EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, 0.830 X 0.416 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, FP-32 EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, 0.760 X 0.760 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, PGA-36
包装说明 1.685 X 0.600 INCH, 0.225 INCH HEIGHT, DIP-32 0.560 X 0.458 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-32 0.760 X 0.760 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, PGA-36 0.830 X 0.416 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, FP-32 0.760 X 0.760 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, PGA-36 0.830 X 0.416 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, FP-32 0.760 X 0.760 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, PGA-36
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 120 ns 200 ns 150 ns 150 ns 120 ns 120 ns 250 ns
其他特性 100000 ENDURANCE CYCLES 100000 ENDURANCE CYCLES 100000 ENDURANCE CYCLES 100000 ENDURANCE CYCLES 100000 ENDURANCE CYCLES 100000 ENDURANCE CYCLES 100000 ENDURANCE CYCLES
命令用户界面 NO NO NO NO NO NO NO
数据轮询 YES YES YES YES YES YES YES
耐久性 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-XDIP-T32 R-XQCC-N32 S-XPGA-P36 R-XDFP-F32 S-XPGA-P36 R-XDFP-F32 S-XPGA-P36
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 36 32 36 32 36
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP QCCN PGA DFP PGA DFP PGA
封装等效代码 DIP32,.6 LCC32,.45X.55 PGA36,7X7 FL28,.4 PGA36,7X7 FL28,.4 PGA36,7X7
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER GRID ARRAY FLATPACK GRID ARRAY FLATPACK GRID ARRAY
页面大小 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B MIL-STD-883 38535Q/M;38534H;883B MIL-STD-883 38535Q/M;38534H;883B MIL-STD-883
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD PIN/PEG FLAT PIN/PEG FLAT PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD PERPENDICULAR DUAL PERPENDICULAR DUAL PERPENDICULAR
切换位 YES YES YES YES YES YES YES
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
JESD-609代码 e0 e0 - e4 - e4 -
长度 42.93 mm - 19.304 mm - 19.305 mm - 19.304 mm
座面最大高度 5.89 mm - 4.8768 mm 3.05 mm 4.8768 mm 3.05 mm 4.8768 mm
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped - GOLD - GOLD -
宽度 15.24 mm - 19.305 mm 11.6586 mm 19.304 mm 11.6586 mm 19.305 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 75  115  640  1255  1609 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved