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5962H9653901VCC

产品描述XOR Gate, ACT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小141KB,共17页
制造商Cobham PLC
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5962H9653901VCC概述

XOR Gate, ACT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14

5962H9653901VCC规格参数

参数名称属性值
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.1.A
系列ACT
JESD-30 代码R-XDIP-T14
JESD-609代码e4
长度19.43 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型XOR GATE
最大I(ol)0.008 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup14 ns
传播延迟(tpd)14 ns
认证状态Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535V;38534K;883S
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
C
DESCRIPTION
Changes in accordance with NOR 5962-R119-97.
Incorporate Revision A. Update boilerplate to MIL-PRF-38535 requirements. –
LTG
Correct the title to accurately describe the device function. . Change figure 4,
switching waveforms and test circuit. Update boilerplate to the latest MIL-PRF-
38535 requirements. - jak
DATE (YR-MO-DA)
96-12-10
01-09-04
07-08-23
APPROVED
Monica L. Poelking
Thomas M. Hess
Thomas M. Hess
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
C
15
C
16
REV
SHEET
PREPARED BY
Thanh V. Nguyen
C
1
C
2
C
3
C
4
C
5
C
6
C
7
C
8
C
9
C
10
C
11
C
12
C
13
C
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
CHECKED BY
Thanh V. Nguyen
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
APPROVED BY
Monica L. Poelking
DRAWING APPROVAL DATE
96-04-05
REVISION LEVEL
MICROCIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED CMOS,
RADIATION HARDENED, QUADRUPLE 2-INPUT
EXCLUSIVE OR GATE, TTL COMPATIBLE
INPUTS, MONOLITHIC SILICON
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
C
67268
1 OF
16
5962-96539
DSCC FORM 2233
APR 97
.
5962-E477-07

5962H9653901VCC相似产品对比

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描述 XOR Gate, ACT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14 XOR Gate, ACT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14 XOR Gate, ACT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14, DFP-14 XOR Gate, ACT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14, DFP-14 XOR Gate, ACT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14, DFP-14 XOR Gate, ACT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14, DFP-14
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DFP, FL14,.3 DFP, FL14,.3 DFP, FL14,.3 DFP-14
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A
系列 ACT ACT ACT ACT ACT ACT
JESD-30 代码 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14 R-XDFP-F14 R-XDFP-F14 R-XDFP-F14 R-XDFP-F14
JESD-609代码 e4 e0 e0 e4 e4 e0
长度 19.43 mm 19.43 mm 9.525 mm 9.525 mm 9.525 mm 9.525 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE
最大I(ol) 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A
功能数量 4 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DFP DFP DFP DFP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 FL14,.3 FL14,.3 FL14,.3 FL14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 14 ns 14 ns 14 ns 14 ns 14 ns 14 ns
传播延迟(tpd) 14 ns 14 ns 14 ns 14 ns 14 ns 14 ns
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO NO
筛选级别 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 2.921 mm 2.921 mm 2.921 mm 2.921 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD TIN LEAD TIN LEAD GOLD GOLD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT FLAT FLAT FLAT
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
宽度 7.62 mm 7.62 mm 6.2865 mm 6.2865 mm 6.2865 mm 6.2865 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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