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54HHSC10CSBAF

产品描述NAND Gate, CMOS, CDIP14,
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小4MB,共100页
制造商Plessey Semiconductors Ltd
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54HHSC10CSBAF概述

NAND Gate, CMOS, CDIP14,

54HHSC10CSBAF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-XDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.009 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup25 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535V;38534K;883S
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1
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