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5962-8753102TX

产品描述FIFO, 512X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
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文件大小85KB,共17页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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5962-8753102TX概述

FIFO, 512X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962-8753102TX规格参数

参数名称属性值
包装说明DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间50 ns
其他特性RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)15.38 MHz
周期时间65 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T28
内存密度4608 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512X9
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最大待机电流0.0009 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
DESCRIPTION
DATE
APPROVED
A
Removed vendor CAGE 61772 as source of supply for case outline
letter Z, the F-11A package. Added case outline letters U and T, F-11
and D-15 to the drawing. Editorial changes throughout.
Changes in accordance with NOR 5962-R042-95.
Updated boilerplate to reflect current requirements. Corrections to
pages 4, 5, 8 and timing waveforms. - glg
1990 OCT 04
M. A. Frye
B
C
94-12-15
01-01-17
M. A. Frye
Raymond Monnin
THE ORIGINAL FIRST PAGE OF THIS DRAWING HAS BEEN REPLACED.
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
C
15
C
16
REV
SHEET
PREPARED BY
Kenneth Rice
CHECKED BY
Ray Monnin
C
1
C
2
C
3
C
4
C
5
C
6
C
7
C
8
C
9
C
10
C
11
C
12
C
13
C
14
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43216
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY All DEPARTMENTS
APPROVED BY
Michael. A. Frye
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL,
CMOS, PARALLEL 512 X 9 FIFO,
MONOLITHIC SILICON
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
DRAWING APPROVAL DATE
23 May 1988
REVISION LEVEL
SIZE
C
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
16
5962-87531
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E172-01

5962-8753102TX相似产品对比

5962-8753102TX 5962-8753102YX 5962-8753103TX 5962-8753103YX
描述 FIFO, 512X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 FIFO, 512X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 FIFO, 512X9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 FIFO, 512X9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
包装说明 DIP, DIP28,.3 CERAMIC, LCC-32 DIP, DIP28,.3 CERAMIC, LCC-32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 50 ns 50 ns 80 ns 80 ns
其他特性 RETRANSMIT RETRANSMIT RETRANSMIT RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK) 15.38 MHz 15.38 MHz 10 MHz 10 MHz
周期时间 65 ns 65 ns 100 ns 100 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T28 R-CQCC-N32 R-GDIP-T28 R-CQCC-N32
内存密度 4608 bit 4608 bit 4608 bit 4608 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1
端子数量 28 32 28 32
字数 512 words 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512 512
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 512X9 512X9 512X9 512X9
可输出 NO NO NO NO
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP QCCN DIP QCCN
封装等效代码 DIP28,.3 LCC32,.45X.55 DIP28,.3 LCC32,.45X.55
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883
最大待机电流 0.0009 A 0.0009 A 0.0009 A 0.0009 A
最大压摆率 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL QUAD
Base Number Matches 1 1 1 1
厂商名称 - TEMIC TEMIC TEMIC
长度 - 13.97 mm 37.211 mm 13.97 mm
座面最大高度 - 3.048 mm 5.08 mm 3.048 mm
宽度 - 11.43 mm 15.24 mm 11.43 mm
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