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3N259

产品描述2A, 1000V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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3N259概述

2A, 1000V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

3N259规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PSIP-T4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PSIP-T4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度165 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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