5962H9654601VEA,5962H9654601VEA pdf中文资料,5962H9654601VEA引脚图,5962H9654601VEA电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 逻辑> 逻辑> 5962H9654601VEA

5962H9654601VEA: 产品描述Decoder/Driver, AC Series, Inverted Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小151KB，共17页; 制造商Cobham PLC

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5962H9654601VEA概述

Decoder/Driver, AC Series, Inverted Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16

5962H9654601VEA规格参数

参数名称	属性值
包装说明	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.1.A
系列	AC
JESD-30 代码	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0
长度	19.05 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	OTHER DECODER/DRIVER
最大I（ol）	0.008 A
功能数量	2
端子数量	16
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出极性	INVERTED
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	15 ns
传播延迟（tpd）	14 ns
认证状态	Qualified
筛选级别	38535V;38534K;883S
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

5962H9654601VEA相似产品对比

	5962H9654601VEA	5962H9654601QEA	5962H9654601VEC	5962H9654601QEC
描述	Decoder/Driver, AC Series, Inverted Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16	Decoder/Driver, AC Series, Inverted Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16	Decoder/Driver, AC Series, Inverted Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16	Decoder/Driver, AC Series, Inverted Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
包装说明	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.1.A	3A001.A.1.A	3A001.A.1.A	3A001.A.1.A
系列	AC	AC	AC	AC
JESD-30 代码	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e4	e4
长度	19.05 mm	19.05 mm	19.05 mm	19.05 mm
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	OTHER DECODER/DRIVER	OTHER DECODER/DRIVER	OTHER DECODER/DRIVER	OTHER DECODER/DRIVER
最大I（ol）	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
功能数量	2	2	2	2
端子数量	16	16	16	16
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
输出极性	INVERTED	INVERTED	INVERTED	INVERTED
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns
传播延迟（tpd）	14 ns	14 ns	14 ns	14 ns
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified
筛选级别	38535V;38534K;883S	38535Q/M;38534H;883B	38535V;38534K;883S	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	GOLD	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V	1M Rad(Si) V	1M Rad(Si) V	1M Rad(Si) V
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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