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G6N3

产品描述150 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小624KB,共2页
制造商EDAL
官网地址http://www.edal.com/
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G6N3概述

150 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8

G6N3规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDAL
包装说明O-MUPM-H1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-8
JESD-30 代码O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流2100 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度190 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流150 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流5000 µA
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER

 
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