电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2513N

产品描述512X5 MASK PROM, 600ns, PDIP24
产品类别存储    存储   
文件大小203KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2513N概述

512X5 MASK PROM, 600ns, PDIP24

2513N规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间600 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T24
内存密度2560 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度5
功能数量1
端子数量24
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X5
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

2513N相似产品对比

2513N 2513I
描述 512X5 MASK PROM, 600ns, PDIP24 512X5 MASK PROM, 600ns, CDIP24
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 600 ns 600 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-CDIP-T24
内存密度 2560 bit 2560 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM
内存宽度 5 5
功能数量 1 1
端子数量 24 24
字数 512 words 512 words
字数代码 512 512
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 512X5 512X5
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2491  1455  803  1663  2500  51  30  17  34  32 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved