3 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
3 A, 800 V, 硅, 桥式整流二极管
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 4 |
| 元件数量 | 4 |
| 最小击穿电压 | 800 V |
| 最大平均输入电流 | 3 A |
| 加工封装描述 | 塑料, GBJ, 4 PIN |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | THROUGH-孔 |
| 端子涂层 | NOT SPECIFIED |
| 端子位置 | 单一的 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | 桥, 4 ELEMENTS |
| 壳体连接 | 隔离 |
| 二极管元件材料 | 硅 |
| 二极管类型 | 桥式整流二极管 |
| 相数 | 1 |
| 最大重复峰值反向电压 | 800 V |
| 最大非重复峰值正向电流 | 170 A |
| GBJ1008 | GBJ1010 | GBJ1006 | GBJ1002 | GBJ1004 | GBJ1001 | GBJ10005 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 3 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 3 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 10 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 3 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 10 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
