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GBJ1508

产品描述3.2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小37KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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GBJ1508概述

3.2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBJ1508规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
Reach Compliance Codeunknown
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
Base Number Matches1

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GBJ15005 thru GBJ1510
GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit board
Low forward voltage drop,high current capability
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
GBJ
? .134(3.4)
? .122(3.1)
1.193(30.3)
1.169(29.7)
- 50
to
1000Volts
- 15
Amperes
.189(4.8)
.173(4.4)
.150(3.8)
.134(3.4)
.198
(5.1)
.800(20.3)
.776(19.7)
? .134(3.4)
? .122(3.1)
technique results in inexpensive product
The plastic material has UL flammability
.094(2.4)
.078(2.0)
.043(1.1)
.035(0.9)
.165(4.2)
.142(3.6)
.708(18.0)
.669(17.0)
.106(2.7)
.096(2.3)
+
_
~ ~
.441(11.2)
.425(10.8)
classification 94V-0
.114(2.9)
.098(2.5)
.402(10.2) .303(7.7).303(7.7)
SPACING
.386(9.8) .287(7.3).287(7.3)
.031(0.8)
.023(0.6)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current
@ T
C
=100℃ (without heatsink)
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 7.5A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
2
t Rating for Fusing (t<8.3ms)
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@ T
J
=25℃
@ T
J
=125℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
GBJ
15005
50
30
50
GBJ
1501
100
70
100
GBJ
1502
200
140
200
GBJ
1504
400
280
400
15.0
3.2
240
1.1
10.0
500
240
60
0.8
-55 to +150
-55 to +150
GBJ
1506
600
420
600
GBJ
1508
800
560
800
GBJ
1510
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
A
V
uA
A
2
s
pF
℃/W
NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Device mounted on 300mm*300mm*1.6mm cu plate heatsink.
~ 319 ~

GBJ1508相似产品对比

GBJ1508 GBJ15005 GBJ1501 GBJ1502 GBJ1504 GBJ1510 GBJ1506
描述 3.2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 15 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
厂商名称 HY Electronic HY Electronic HY Electronic HY Electronic HY Electronic HY Electronic HY Electronic
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknow unknow unknow unknown
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
Base Number Matches 1 - - - 1 1 1
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