35 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
35 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
元件数量 | 4 |
最小击穿电压 | 1000 V |
最大平均输入电流 | 35 A |
加工封装描述 | GBPC, 4 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | SQUARE |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子涂层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子位置 | UPPER |
包装材料 | UNSPECIFIED |
结构 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
壳体连接 | ISOLATED |
二极管元件材料 | SILICON |
最大功耗极限 | 83.3 W |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相数 | 1 |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
最大非重复峰值正向电流 | 400 A |
GBPC3510 | GBPC35005 | GBPC3501 | GBPC3502 | GBPC3504 | GBPC3508 | GBPC3506 | |
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描述 | 35 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 35 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 35 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER,1-PHASE FULL-WAVE,800V V(RRM),BR-3Q | 35 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
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