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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> GBU4D
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GBU4D

产品描述2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小38KB，共1页
制造商重庆平伟实业
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GBU4D概述

2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

2.8 A, 200 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4D规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流2.8 A
加工封装描述20.80 × 18 MM, 3.30 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-4
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料硅
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压200 V
最大非重复峰值正向电流200 A

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CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.
GBU4A THRU GBU4K
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE：50-800V
CURRENT：4.0A
FEATURES
·Low
leakage
·Low
forward voltage
·Surge
overload ratings-150 Amperes
GBU
MECHANICAL DATA
·Case:
Molded plastic
·Epoxy:
UL 94V-0 rate flame retardant
·Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
·Polarity:
Symbols molded or marked on body
·Mounting
position:
Any
·Weight:
6.6 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
GBU4A GBU4B GBU4D GBU4G GBU4J GBU4K
units
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average
Current at T
C
=50°C
Forward
rectified Output
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
V
F
50
100
200
400
600
800
35
50
70
100
140
200
280
400
420
600
560
800
V
V
V
A
A
V
µA
4.0
150
1.0
5.0
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rate load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage Drop per element at
2.0 A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
per element
@ T
A
=25°C
I
R
@ T
A
=125°C
500
240
60
2.7
I
2
t
I
2
t Rating for Fusing (t<8.3ms)
C
J
Typical Junction Capacitance per Element(Note
1)
Typical Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJA
(Note 2)
Notes: 1.
Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
A
2
S
pF
°C/W
2. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 150 x 150 x 1.6mm copper plate heat sink.
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描述 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
状态 ACTIVE DISCONTINUED TRANSFERRED - - ACTIVE
二极管类型 桥式整流二极管 桥式整流二极管 桥式整流二极管 - - BRIDGE RECTIFIER DIODE

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