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GE28F320C3BD70

产品描述1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小680KB,共68页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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GE28F320C3BD70概述

1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48

1M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 90 ns, PDSO48

GE28F320C3BD70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Intel(英特尔)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA47,6X8,30
针数47
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间70 ns
其他特性USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B47
JESD-609代码e0
长度7.286 mm
内存密度33554432 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,63
端子数量47
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA47,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度6.964 mm
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