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GE28F640C3TD70

产品描述1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
产品类别存储   
文件大小680KB,共68页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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GE28F640C3TD70概述

1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48

1M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 90 ns, PDSO48

GE28F640C3TD70规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压3 V
最小供电/工作电压2.7 V
最大供电/工作电压3.6 V
加工封装描述12 X 20 MM, TSOP-48
each_compliYes
状态Transferred
ypeNOR TYPE
sub_categoryFlash Memories
ccess_time_max90 ns
boot_blockTOP
command_user_interfaceYES
common_flash_interfaceYES
data_pollingNO
jesd_30_codeR-PDSO-G48
jesd_609_codee0
存储密度1.68E7 bit
内存IC类型FLASH
内存宽度16
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
umber_of_sectors_size8,31
位数1.05E6 words
位数1M
操作模式ASYNCHRONOUS
组织1MX16
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeTSOP1
ckage_equivalence_codeTSSOP48,.8,20
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_240
wer_supplies__v_1.8/3.3,3/3.3
gramming_voltage__v_3
qualification_statusCOMMERCIAL
seated_height_max1.2 mm
sector_size__words_4K,32K
standby_current_max5.00E-6 Amp
最大供电电压0.0550 Amp
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子涂层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子间距0.5000 mm
端子位置DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_30
ggle_biNO
length18.4 mm
width12 mm
dditional_featureUSER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; TOP BOOT BLOCK

 
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