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NVS0805H650ATR

产品描述UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, CHIP
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小76KB,共3页
制造商Nichicon(尼吉康)
官网地址http://www.nichicon.co.jp
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NVS0805H650ATR概述

UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, CHIP

NVS0805H650ATR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Nichicon(尼吉康)
包装说明CHIP
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
电阻器类型VARISTOR

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Surface Mount Transient Voltage Suppressors
FEATURES
• ZINC OXIDE MULTILAYER CONSTRUCTION
• HIGH ENERGY SURGE VOLTAGE PROTECTION
• EIA SIZES 0603, 0805, 1206 AND 1210
• HIGH CURRENT RATING (UP TO 500A)
• FAST RESPONSE (LESS THAN 1nS)
• LOW CLAMPING VOLTAGES
• Pb-FREE COMPATIBLE WITH FLOW AND REFLOW SOLDERING
NVS Series
Multilayer zinc oxide chip varistors are ideal for the suppression of voltage transients due to ESD, inductive discharge and electromagnetic
energy. The NVS series of chip varistors were designed to provide transient protection to new, low voltage semiconductors and to aid in
equipment compliance to CIS/IEC 801 specifications.
CHARACTERISTICS
Specifications
Working Voltage Range
(@50mA Maximum Leakage Current)
Clamping Voltage Range
(Based on 2-10 Amp 8/20
µ
S Pulse)
Peak Current Rating
(8/20
µ
S Pulse Waveform)
Maximum Transient Energy Dissipated
(10/1000
µ
S Pulse Waveform)
Size
0603
3.3-30V
10-65V
30A
0.1J
0805
3.3-30V
10-65V
30-120A
0.1-0.3J
1206
3.3-48V
10-100V
30-150A
0.1-0.4J
1210
18-60V
39-120V
220-500A
0.9-1.5J
PART NUMBERING SYSTEM
NVS
0805
F
400
A
TR
Tape and Reel (Standard)
Energy
A = 0.1J
B = 0.3J
C = 0.4J
D = 0.9J
Clamping Voltage
100 = 10V
150 = 15.5V
200 = 20V
250 = 25V
300 = 30V
390 = 39V
400 = 40V
560 = 56V
580 = 58V
620 = 62V
650 = 65V
101 = 100V
121 = 120V
Working Voltage (Vdc), Breakdown Voltage
(Vdc min.@1mA DC)
A = 3.3V(5.0V) E = 14V(15.9V) I = 48V(56V)
B = 5.6V(7.6V) F = 18V(22.5V) J = 60V(67V)
C = 9.0V(11V) G = 26V(31V)
D = 12V (14V) H = 30V(37V)
E = 1.2J
F = 1.5J
G = 2.0J
Case Size
0603
0805
1206
1210
Series
®
246
NIC COMPONENTS
www.niccomp.com
www.lowESR.com
www.RFpassives.com
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