电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

M28W160ECB85N1S

产品描述1M X 16 FLASH 3V PROM, PBGA46
产品类别存储    存储   
文件大小307KB,共50页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

M28W160ECB85N1S概述

1M X 16 FLASH 3V PROM, PBGA46

M28W160ECB85N1S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间85 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NOR TYPE
宽度12 mm

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 74  238  1261  1284  1628 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved