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2PD602R

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共3页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2PD602R概述

Transistor,

2PD602R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

2PD602R相似产品对比

2PD602R 2PD602AQ 2PD602AS 2PD602S 2PD602Q
描述 Transistor, Transistor Transistor Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
配置 Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 120 85 170 170 85
JESD-609代码 e0 e3 e3 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1
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