500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
基于收集器的最大容量 | 7 pF |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 14000 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 1.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 125 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V |
Base Number Matches | 1 |
2N6427-5 | 2N6426-5 | 2N6427-18 | 2N6426-18 | |
---|---|---|---|---|
描述 | 500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A |
基于收集器的最大容量 | 7 pF | 7 pF | 7 pF | 7 pF |
集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
配置 | DARLINGTON | DARLINGTON | DARLINGTON | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 14000 | 20000 | 14000 | 20000 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
功耗环境最大值 | 1.5 W | 1.5 W | 1.5 W | 1.5 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 125 MHz | 125 MHz | 125 MHz | 125 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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