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2N6661-QR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220M, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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2N6661-QR概述

Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220M, 3 PIN

2N6661-QR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压90 V
最大漏极电流 (ID)0.9 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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