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2N5002R1

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小61KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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2N5002R1概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN

2N5002R1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明TO-59, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-59
JESD-30 代码O-MUPM-D3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1
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