2N5600.MODR1,2N5600.MODR1 pdf中文资料,2N5600.MODR1引脚图,2N5600.MODR1电路-Datasheet-电子工程世界

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2N5600.MODR1: 产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小12KB，共1页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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2N5600.MODR1概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN

2N5600.MODR1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30
JEDEC-95代码	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz
Base Number Matches	1

2N5600.MODR1相似产品对比

	2N5600.MODR1	2N5600.MOD	2N5600R1	2N5600
描述	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30	30	30	30
JEDEC-95代码	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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