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2SC2223F6: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小79KB，共3页; 制造商NEC(日电)

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2SC2223F6概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3

	2SC2223F6	2SC2223F6-A
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3
是否Rohs认证	不符合	符合
包装说明	PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3	PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.02 A	0.02 A
集电极-发射极最大电压	20 V	20 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	125 °C	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	600 MHz	600 MHz
VCEsat-Max	0.3 V	0.3 V
Base Number Matches	1	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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