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2N6659R1: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小44KB，共2页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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2N6659R1概述

Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

	2N6659R1	2N6659
描述	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 35V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, TO-39,
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	unknown	compliant
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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