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2N2192LE1

产品描述1000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, METAL, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB,共1页
制造商SEMELAB
标准
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2N2192LE1概述

1000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, METAL, TO-5, 3 PIN

2N2192LE1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-5
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

2N2192LE1相似产品对比

2N2192LE1
描述 1000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, METAL, TO-5, 3 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
零件包装代码 TO-5
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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