2SK4080-ZK-E2-AY,2SK4080-ZK-E2-AY pdf中文资料,2SK4080-ZK-E2-AY引脚图,2SK4080-ZK-E2-AY电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SK4080-ZK-E2-AY

2SK4080-ZK-E2-AY: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小191KB，共8页; 制造商NEC(日电); 标准

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2SK4080-ZK-E2-AY概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN

2SK4080-ZK-E2-AY规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NEC(日电)
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	48 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2SK4080-ZK-E2-AY相似产品对比

	2SK4080-ZK-E2-AY	2SK4080(1)-S27-AY	2SK4080-ZK-E1-AY
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, MP-3-B, 3 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
零件包装代码	TO-252AA	TO-251AA	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4	3	4
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	48 A	48 A	48 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω	0.015 Ω	0.015 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-251AA	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1
端子数量	2	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	YES
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1

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