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2N3019RBG4: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小11KB，共1页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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2N3019RBG4概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN

2N3019RBG4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	80
JEDEC-95代码	TO-205AD
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e4
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	GOLD
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

2N3019RBG4相似产品对比

	2N3019RBG4	2N3019RB
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	80	80
JEDEC-95代码	TO-205AD	TO-205AD
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz
Base Number Matches	1	1

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