Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 70 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
JEDEC-95代码 | TO-61 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2N1617R1 | 2N1617.MODR1 | 2N1617.MOD | |
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描述 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 70 V | 70 V | 70 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 15 | 15 | 15 |
JEDEC-95代码 | TO-61 | TO-61 | TO-61 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 3 MHz | 3 MHz | 3 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
JESD-609代码 | e1 | e1 | - |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER | - |
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