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2N3931.MOD

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小18KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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2N3931.MOD概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3

2N3931.MOD规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压180 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1

2N3931.MOD相似产品对比

2N3931.MOD
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
集电极-发射极最大电压 180 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30
JEDEC-95代码 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON
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