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2N2644DCSM

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-041BB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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2N2644DCSM概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-041BB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6

2N2644DCSM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)130
JEDEC-95代码MO-041BB
JESD-30 代码R-CDSO-N6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)32 MHz
Base Number Matches1

2N2644DCSM相似产品对比

2N2644DCSM 2N2644DCSMG4
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-041BB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-041BB, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6
是否Rohs认证 不符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 130 130
JEDEC-95代码 MO-041BB MO-041BB
JESD-30 代码 R-CDSO-N6 R-CDSO-N6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 32 MHz 32 MHz
Base Number Matches 1 1
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