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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB1301-T1ZP

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2SB1301-T1ZP: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小84KB，共3页; 制造商NEC(日电)

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2SB1301-T1ZP概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN

2SB1301-T1ZP规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3 A
集电极-发射极最大电压	16 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	300
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
功耗环境最大值	2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	140 MHz
VCEsat-Max	0.35 V
Base Number Matches	1

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