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2N2993.MOD

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AA, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2N2993.MOD概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AA, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-5, 3 PIN

2N2993.MOD规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-205AA
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

2N2993.MOD相似产品对比

2N2993.MOD
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AA, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-5, 3 PIN
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60
JEDEC-95代码 TO-205AA
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
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