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2SC2371M: 产品描述Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小74KB，共3页; 制造商NEC(日电)

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2SC2371M概述

Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

2SC2371M规格参数

参数名称	属性值
包装说明	TO-126, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	3 pF
集电极-发射极最大电压	300 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	10 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	80 MHz
VCEsat-Max	1.5 V
Base Number Matches	1

2SC2371M相似产品对比

	2SC2371M	2SC2371L	2SC2371	2SC2371N	2SC2371K
描述	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN
包装说明	TO-126, 3 PIN	TO-126, 3 PIN	TO-126, 3 PIN	TO-126, 3 PIN	TO-126, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	3 pF	3 pF	3 pF	3 pF	3 pF
集电极-发射极最大电压	300 V	300 V	300 V	300 V	300 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60	100	40	40	160
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	10 W	10 W	10 W	10 W	10 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz
VCEsat-Max	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1

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