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JANTX2N6051

产品描述Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小79KB,共15页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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JANTX2N6051概述

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

JANTX2N6051规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码TO-204AA
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)150
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/501C
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
Base Number Matches1

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The documentation process conversion
measures necessary to comply with this
revision shall be completed by 23 August 1997
INCH POUND
MIL-PRF-19500/501C
23 May 1997
SUPERSEDING
MIL-S-19500/501B
25 March 1995
PERFORMANCE SPECIFICATION
SEMICONDUCTOR DEVICE, DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, SILICON, POWER
TYPE 2N6051, 2N6052 JAN, JANTX, AND JANTXV
This specification is approved for use by all Depart-
ments and Agencies of the Department of Defense.
1. SCOPE
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for PNP, Darlington, silicon, power transistors. Three levels of
product assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-3).
1.3 Maximum ratings.
|
PT
1/
| VCBO
|
|
| TC = +25°C | TC = +100°C |
|
|
|
|
| W
| W
| V dc
| 2N6051 | 150
| 75
| 80
| 2N6052 | 150
| 75
| 100
1/ Derate linearly at 1.00 W/°C above TC > +25°C.
1.4 Primary electrical characteristics.
|
|
|
|
|
| Min
| Max
|
|
|
|
|
| Min
| Max
| hFE2 1/
| VCE = 3 V dc
| IC = 6 A dc
|
|
| 1,000
| 18,000
| hFE3 1/
| VCE = 3 V dc
| IC = 12 A dc
|
|
| 150
|
| hfe
| VCE = 3 V dc
| IC = 5 A dc
| f = 1 kHz
|
| 1,000
|
| |hfe|
| VCE = 3 V dc
| IC = 5 A dc
| f = 1 MHz
|
|
10
| 250
| R
θJC
|
|
|
|
°C/W
|
| 1.00
| Cobo
| 100 kHz
f
1 MHz
| VCB = 10 V dc, IE = 0
|
|
pF
|
|
300
|
|
|
|
|
|
|
| Pulse response
|
| ton
| toff
|
|
|
µs
|
µs
|
|
| 2
| 10
|
|
|
|
|
|
|
| VCEO
|
|
|
| V dc
| 80
| 100
| VEBO | IC
|
|
|
|
|
|
| V dc | A dc
| 5
| 12
| 5
| 12
| IB
|
|
|
| A dc
| 0.2
| 0.2
| Tp and TSTG
|
|
|
|
°C
| -55 to +175
| -55 to +175
|
|
|
|
|
|
|
| VBE(sat)
| IC = 12 A dc
| IB = 120 mA dc 1/
|
| V dc
|
|
4.0
| VCE(sat)1
| IC = 12 A dc
| IB = 120 mA dc 1/
|
| V dc
|
|
3.0
| VCE(sat)2
| IC = 6 A dc
| IB = 24 mA dc 1/
|
| V dc
|
|
2.0
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAT, 3990 East Broad Street, Columbus, OH
43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this document or
by letter.
1/ Pulsed, see 4.5.1
AMSC N/A
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
FSC 5961

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JANTX2N6051
描述 Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP )
零件包装代码 TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 12 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 150
JEDEC-95代码 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 150 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/501C
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG
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