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2N6659

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 35V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共1页
制造商Crimson Semiconductor Inc
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2N6659概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 35V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, TO-39, 3 PIN

2N6659规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最小漏源击穿电压35 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)6.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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