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2N6274: 产品描述Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小89KB，共1页; 制造商Crimson Semiconductor Inc

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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

	2N6274	2N5685
描述	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-3VAR, 2 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	TO-3, 2 PIN	TO-3VAR, 2 PIN
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	50 A	50 A
集电极-发射极最大电压	100 V	60 V
配置	Single	Single
最小直流电流增益 (hFE)	30	15
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0
端子数量	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	250 W	300 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	30 MHz	2 MHz
Base Number Matches	1	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ