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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> 2N6508

2N6508: 产品描述25A, 600V, SCR, TO-220AB, CASE 221A, 3 PIN; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小50KB，共5页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com; 相似器件已查找到18个与2N6508功能相似器件

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2N6508概述

25A, 600V, SCR, TO-220AB, CASE 221A, 3 PIN

2N6508规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
制造商包装代码	CASE 221A
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	ANODE
标称电路换相断开时间	15 µs
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	30 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V
最大维持电流	40 mA
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
最大漏电流	2 mA
通态非重复峰值电流	250 A
元件数量	1
端子数量	3
最大通态电压	2.1 V
最大通态电流	8000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	25 A
重复峰值关态漏电流最大值	10 µA
断态重复峰值电压	600 V
重复峰值反向电压	600 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

2N6508相似产品对比

	2N6508	2N6505
描述	25A, 600V, SCR, TO-220AB, CASE 221A, 3 PIN	25A, 100V, SCR, TO-220AB, CASE 221A, 3 PIN
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3
制造商包装代码	CASE 221A	CASE 221A
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	ANODE	ANODE
标称电路换相断开时间	15 µs	15 µs
配置	SINGLE	SINGLE
最大直流栅极触发电流	30 mA	30 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V	1.5 V
最大维持电流	40 mA	40 mA
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0
最大漏电流	2 mA	2 mA
通态非重复峰值电流	250 A	250 A
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最大通态电压	2.1 V	2.1 V
最大通态电流	8000 A	8000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	25 A	25 A
重复峰值关态漏电流最大值	10 µA	10 µA
断态重复峰值电压	600 V	100 V
重复峰值反向电压	600 V	100 V
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
触发设备类型	SCR	SCR
Base Number Matches	1	1

与2N6508功能相似器件

器件名	厂商	描述
MCR25M	Rochester Electronics	25A, 600V, SCR, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
MCR25MG	Littelfuse	THYRISTOR SCR 25A 600VTO220AB
2N6508	New Jersey Semiconductor	THYRISTORS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
BT152-600R,127	WeEn Semiconductors	通态电流(It (RMS)) (Max)：20A 通态电流 (It (AV)) (Max)：13A 断态电压Vdrm：650V 栅极触发电压：1.5V 类型：单向可控硅栅极触发电流：32mA 650V 20A 单向可控硅，
TYN690	ST(意法半导体)	SCR
S6025RTP	Littelfuse	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220R, 3 PIN
2N6508G	Littelfuse	THYRISTOR SCR 25A 600V TO220AB
2N6508T	Rochester Electronics	25 A, 600 V, SCR, TO-220AB, CASE 221A-07, 4 PIN
BT145-600R	NXP(恩智浦)	Silicon Controlled Rectifier, 25 A, 600 V, SCR, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
S6025R	Littelfuse	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220R, 3 PIN
TYN625	ST(意法半导体)	25 A, 800 V, SCR
MCR25N	Rochester Electronics	25A, 800V, SCR, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
2N1772A	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 100V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO-64, 2 PIN
2N6395	Digitron	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 100; Max TMS Bridge Input Voltage: 7.6; Max DC Reverse Voltage: 2; Capacitance: 40; Package: TO-220AB
2N6399	Digitron	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 800; Max TMS Bridge Input Voltage: 7.6; Max DC Reverse Voltage: 2; Capacitance: 40; Package: TO-220AB
C122C	Advanced Semiconductor, Inc.	Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 300V V(DRM)
MCR12N	Rochester Electronics	12A, 800V, SCR, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
2N6401	Toshiba(东芝)	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),5A I(T),TO-220

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