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2N3553

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-205AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小253KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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2N3553概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-205AD

2N3553规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量10 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值7 W
最小功率增益 (Gp)10 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)500 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1
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